衡水涌泉機械科技有限公司

1、 緩沖電路的作用與基本類型電力電子器件的緩沖電路(snubber circuit)又稱吸收電路，它是電力電子器件的一種重要的保護電路，不僅用于半控型器件的保護，而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的應用技術中起著重要的作用。晶閘管開通時，為了防止過大的電流上升率而燒壞器件，往往在主電路中串入一個扼流電感，以限制過大的di/dt，串聯(lián)電感及其配件組成了開通緩沖電路，或稱串聯(lián)緩沖電路。晶閘管關斷時，電源電壓突加在管子上，為了抑制瞬時過電壓和過大的電壓上升率，以防止晶閘管內部流過過大的結電容電流而誤觸發(fā)，需要在晶閘管的兩端并聯(lián)一個RC網絡，構成關斷緩沖電路，或稱并聯(lián)緩沖電路。 GTR、GTO等全控型自關斷器件在實際使用中都必須配用開通和關斷緩沖電路;但其作用與晶閘管的緩沖電路有所不同，電路結構也有差別。主要原因是全控型器件的工作頻率要比晶閘管高得多，因此開通與關斷損耗是影響這種開關器件正常運行的重要因素之一。例如，GTR在動態(tài)開關過程中易產生二次擊穿的現(xiàn)象，這種現(xiàn)象又與開關損耗直接相關。所以減少全控器件的開關損耗至關重要，緩沖電路的主要作用正是如此，也就是說GTR和功率MOSFET用緩沖電路抑制di/dt和du/dt，主要是為了改變器件的開關軌跡，使開關損耗減少，進而使器件可靠地運行。沒有緩沖電路時GTR開關過程中集電極電壓uCE和集電極電流iC的波形，開通和關斷過程中都存在uCE和iC同時達到最大值的時刻;因此出現(xiàn)了瞬時的最大開關損耗功率Pon和Poff，從而危及器件的安全。所以，應采用開通和關斷緩沖電路，抑制開通時的di/dt，降低關斷時的du/dt，使uCE和iC的最大值不會同時出現(xiàn)。 GTR開關過程中的uCE和iC的軌跡，其中軌跡1和2是沒有緩沖電路的情況，開通時uCE由UCC(電源電壓)經矩形軌跡降到0，相應地iC由0升到ICM;關斷時iC由ICM經矩形軌跡降到0，相應地uCE由0升高到UCC。不但集電極電壓和電流的最大值同時出現(xiàn)，而且電壓和電流都有超調現(xiàn)象，這種情況下瞬時功耗很大，極易產生局部熱點，導致GTR的二次擊穿而損壞。加上緩沖電路后，uCE和iC的開通與關斷軌跡分別如3和4所示，由可見，其軌跡不再是矩形，避免了兩者同時出現(xiàn)最大值的情況，大大降低了開關損耗，并且最大程度地利用于GTR的電氣性能。 GTR的開通緩沖電路用來限制導通時的di/dt，以免發(fā)生元件的過熱點，而且它在GTR逆變器中還起著抑制貫穿短路電流的峰值及其di/dt的作用。GTO的關斷緩沖電路不僅為限制GTO關斷時再加電壓的du/dt及過電壓，而且對降低GTO的關斷損耗，使GTO發(fā)揮應有的關斷能力，充分發(fā)揮它的負荷能力起重要作用。 IGBT的緩沖電路功能更側重于開關過程中過電壓的吸收與抑制，這是由于IGBT的工作頻率可以高達30~50kHz;因此很小的電路電感就可能引起頗大的LdiC/dt，從而產生過電壓，危及IGBT的安全。PWM逆變器中IGBT在關斷和開通中的uCE和iC波形。在iC下降過程中IGBT上出現(xiàn)了過電壓，其值為電源電壓UCC和LdiC/dt兩者的疊加。為開通時的uCE和iC波形，增長極快的iC出現(xiàn)了過電流尖峰iCP，當iCP回落到穩(wěn)定值時，過大的電流下降率同樣會引起元件上的過電壓而須加以吸收。逆變器中IGBT開通時出現(xiàn)尖峰電流，其原因是由于在剛導通的IGBT負載電流上疊加了橋臂中互補管上反并聯(lián)的續(xù)流二極管的反向恢復電流，所以在此二極管恢復阻斷前，剛導通的IGBT上形成逆變橋臂的瞬時貫穿短路，使iC出現(xiàn)尖峰，為此需要串入抑流電感，即串聯(lián)緩沖電路，或放大IGBT的容量。綜上所述，緩沖電路對于工作頻率高的自關斷器件，通過限壓、限流、抑制di/dt和du/dt，把開關損耗從器件內部轉移到緩沖電路中去，然后再消耗到緩沖電路的電阻上，或者由緩沖電路設法再反饋到電源中去。此緩沖電路可分為兩在類，前一種是能耗型緩沖電路，后一種是反饋型緩沖電路。能耗型緩沖電路簡單，在電力電子器件的容量不太大，工作頻率也不太高的場合下，這種電路應用很廣泛。